华羿微代理商 HYG090N06LS1S N沟道增强型MOSFET

特征：

60V/12A

RDS(ON)= 8.6mΩ(typ.)@VGS= 10V

RDS(ON)=15.4mΩ(typ.)@VGS= 4.5V

100%雪崩测试

可靠且坚固的

无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）

应用：

DC/DC 的电源管理

切换应用程序

电池保护

详情请咨询我司业务15986786916

华羿微typN沟道应用程序雪崩发布于：广东省